隨著年代的推移，內(nèi)存條的制造技術(shù)也在不斷的攀升，DDR2/DDR3內(nèi)存條“朝代”也在新老更替，而這個(gè)過程并沒有結(jié)束，現(xiàn)有的DDR4和DDR5內(nèi)存條，也正在不斷創(chuàng)造普及條件，不過身為用戶的你，知道如何區(qū)分DDR2 DDR3內(nèi)存條嗎？下面，小編就來跟大家介紹ddr2和ddr3的區(qū)別了。

內(nèi)存條是CPU可通過總線尋址，并進(jìn)行讀寫操作的電腦部件。內(nèi)存條在電腦歷史上曾經(jīng)是主內(nèi)存的擴(kuò)展。也是電腦儲(chǔ)存文件數(shù)據(jù)的重要條件了，不過貌似有不少的用戶對(duì)區(qū)分DDR2 DDR3內(nèi)存條不是很了解，下面，小編就來跟大家分享ddr2和ddr3的區(qū)別。

如何區(qū)分DDR2 DDR3內(nèi)存條

DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別：

1、邏輯Bank數(shù)量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。

內(nèi)存條圖詳解-1

2、封裝(Packages)

由于DDR3新增了一些功能，在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。

DDR3圖詳解-2

3、突發(fā)長(zhǎng)度(BL，Burst Length)

由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期(BL，Burst Length)也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4-bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。

內(nèi)存條圖詳解-3

4、尋址時(shí)序(Timing)

就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲(CWD)，這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

內(nèi)存條圖詳解-4

ddr2，3代內(nèi)存的外觀區(qū)別

DDR2：

一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左64右56、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.8V。

內(nèi)存條圖詳解-5

DDR3：

一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左72右48、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.5V。

其工作電壓一直在降低，因此在性能提升的同時(shí)，功耗也在逐漸變小。

DDR3圖詳解-6

以上就是ddr2和ddr3的區(qū)別了。